碳化硅陶瓷，是以SIC为基础材料，经过2250℃高温烧结，高度瓷化的一种0孔隙率致密体陶瓷，SIC含量≥99.3%，抗弯强度≥410Mpa，导热系数140W/m.k，是唯一耐HF、H2SO4等强酸腐蚀的陶瓷材料。

 

SiC plate is a kind of 0 porosity dense body ceramics, which is based on SiC and sintered at 2250 ℃. SiC content is more than 99.6%, bending strength is more than 410mpa and thermal conductivity is 140W / M.K. it is the only ceramic material resistant to HF, H2SO4 and other strong acid corrosion。

碳化硅陶瓷的优点：
1、热膨胀系数小，与硅极为接近；
2、耐磨性卓越，硬度仅次于金刚石；
3、导热系数优良，耐高温且散热快；

碳化硅陶瓷的性能指标如下：

物理性能（Physical PropertIes）	单位 UNIT	西安中威（ZHWE）碳化硅
碳化硅含量（Composition ：SIC）	VOL%	≥99.3
密度20℃（Density 20℃）	g/cm3	≥3.10
气孔率（Open Porosity）	VOL%	0
洛氏硬度	R45N	95
维氏硬度	kg/mm2	2450
抗弯强度20℃（Flexural Strength 20℃）	MPa	320-400
抗弯强度1300℃（Flexural Strength 1300℃）	MPa	360-410
热膨胀系数(Coefficient of thermal )	10(-6)*k(-1)	4.0
热导率20℃(Thermal conductivity 20℃)	W.m(-1)*k(-1)	140
热震性能
最高使用温度	℃	approx.1900